IRF8010S

IRF8010S. C(inch): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 99 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.