Transistoren

C(inch): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 6A. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Functie: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7101. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 320pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Functie: 2xN-CH 50V. ID (T=25°C): 3A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 50V. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7103. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Functie: 2xP-CH 20V. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Markering van de fabrikant: F7104. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Aantal per doos: 2. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: TO-220AB. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF710PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 170pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 2A. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 400V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7201. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 550pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7204. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 860pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 870pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 15A. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF720PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 410pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7233. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7233. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 22A. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7301. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 660pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: 0.05R. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7303. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 520pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7304. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 610pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7306. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Functie: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET-vermogens-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7309. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 520/440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF730PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 38 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Behuizing (JEDEC-standaard): 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Functie: N MOSFET-transistor. Equivalenten: IRF7313PBF. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2