IRF830

IRF830. C(inch): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 320 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.