N-kanaaltransistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

N-kanaaltransistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. N-kanaaltransistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 200V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. RoHS: ja. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(inch): 540pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge stroom schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Origineel product van fabrikant Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 12:25.