IRF540NS

IRF540NS. C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRF540NSPBF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 19:25.