IRF5210S

IRF5210S. C(inch): 2860pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Markering op de kast: F5210S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.8W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 72 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.