N-kanaaltransistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510

N-kanaaltransistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510. N-kanaaltransistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 07:25.