IRF510

IRF510. C(inch): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.