HGTG10N120BND

Hoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW
1 - 1	5.66€	6.85€
2 - 2	5.37€	6.50€
3 - 4	5.09€	6.16€
5 - 9	4.81€	5.82€
10 - 19	4.70€	5.69€
20 - 29	4.58€	5.54€
30 - 47	4.41€	5.34€

Hoeveelheid	U.P
1 - 1	5.66€	6.85€
2 - 2	5.37€	6.50€
3 - 4	5.09€	6.16€
5 - 9	4.81€	5.82€
10 - 19	4.70€	5.69€
20 - 29	4.58€	5.54€
30 - 47	4.41€	5.34€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Hoeveelheid in voorraad : 47

Set van 1

HGTG10N120BND. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Markering op de kast: 10N120BND. Pd (vermogensdissipatie, max.): 298W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: NPT-serie IGBT-transistor met anti-parallelle hypersnelle diode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.8V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 23:25.

Technische documentatie

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Per email

Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!