G60N04K

G60N04K. C(inch): 1800pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. ID s (min): n/a. Markering op de kast: G60N04K. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 23:25.