Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29€ | 1.56€ |
5 - 9 | 1.22€ | 1.48€ |
10 - 20 | 1.16€ | 1.40€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29€ | 1.56€ |
5 - 9 | 1.22€ | 1.48€ |
10 - 20 | 1.16€ | 1.40€ |
GJ9971. C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logische niveau-gated transistor. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IDM--80A pulse. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 14/01/2025, 23:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.