Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUX48A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 175W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: S. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 450V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUX85G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-diode: NPN. C(inch): 1000V. Kosten): 0.5A. CE-diode: 40W. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-82. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUX87P. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 25 MHz. Functie: S-L. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 280V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1

C(inch): 1220pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): P-TO263-3-2. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Aantal per doos: 1

C(inch): 1500pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 50V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 42A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 50V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (max): 39A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 40m Ohms. Technologie: V-MOS S/L. Spanning Vds(max): 50V. Let op: 250/500ns. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ22. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 300 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1850pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 2.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. Technologie: V-MOS L. Spanning Vds(max): 1000V. Aantal per doos: 1

C(inch): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ73LH. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 500V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 400V. Let op: <57/115ns. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ76A. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: <50/105ns. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1

C(inch): 460pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (max): 2.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spanning Vds(max): 800V. Let op: <100/220ns. Aantal per doos: 1