Transistoren

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUL45D2G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 13 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kosten): 50pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: Hoge snelheid, hoge versterking, bipolaire NPN-vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 34. Minimale hFE-versterking: 22. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220AB CASE 221A-09. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.28V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 12V. Aantal per doos: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SMPS S-L. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Aantal per doos: 1. Spec info: hoge snelheid. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 1.2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Vcbo: 600V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-218. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUP313. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 32A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 530 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Maximale collectorstroom (A): 64A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 200V. Collectorstroom: 70A. Vermogen: 350W. Behuizing: TO-3

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: vermogenstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F ( SOT186A ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Spec info: Tf 170ns

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 23W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: hoge spanning, hoge snelheid

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Functie: S-L, SN. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Type transistor: NPN. Vcbo: 600V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Aantal per doos: 1. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUV20. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 125V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 8 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ontworpen voor toepassingen met hoge snelheid. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220 CASE 221A. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 190V. Vebo: 7V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle schakelsnelheid. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Behuizing: TO-247. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUV48A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 8:1. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 7V. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 1000V. Collectorstroom: 15A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Behuizing: TO-3PN. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Aantal per doos: 1. Functie: hoogspanning, snel schakelend. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1