Elektronische componenten en apparatuur, voor bedrijven en particulieren

CEB6030L

CEB6030L
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Hoeveelheid excl. BTW incl. BTW
1 - 4 0.96€ 1.16€
5 - 9 0.91€ 1.10€
10 - 24 0.86€ 1.04€
25 - 49 0.81€ 0.98€
50 - 99 0.80€ 0.97€
100 - 249 0.78€ 0.94€
250 - 718 0.74€ 0.90€
Hoeveelheid U.P
1 - 4 0.96€ 1.16€
5 - 9 0.91€ 1.10€
10 - 24 0.86€ 1.04€
25 - 49 0.81€ 0.98€
50 - 99 0.80€ 0.97€
100 - 249 0.78€ 0.94€
250 - 718 0.74€ 0.90€
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Hoeveelheid in voorraad : 718
Set van 1

CEB6030L. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 19:25.

Gelijkwaardige producten :

Hoeveelheid in voorraad : 65
NDB6030L

NDB6030L

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp):...
NDB6030L
Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1
NDB6030L
Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1
Set van 1
1.89€ incl. BTW
(1.56€ excl. BTW)
1.89€
Hoeveelheid in voorraad : 285
SPB56N03L

SPB56N03L

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C...
SPB56N03L
Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1
SPB56N03L
Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1
Set van 1
1.34€ incl. BTW
(1.11€ excl. BTW)
1.34€

Wij raden ook aan :

Geen voorraad meer
2SD1762

2SD1762

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensd...
2SD1762
[LONGDESCRIPTION]
2SD1762
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.63€ incl. BTW
(2.17€ excl. BTW)
2.63€

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Abonneer u op de nieuwsbrief

Ik ga akkoord met het ontvangen van e-mails en ik begrijp dat ik me na registratie op elk moment kan uitschrijven.

Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.