CSD17313Q2T

CSD17313Q2T. C(inch): 260pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Aantal aansluitingen: 6. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 17W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 4.2 ns. Td(aan): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Behuizing: WSON6. Behuizing (volgens datablad): Kunststof behuizing van 2 mm x 2 mm. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 11:25.