Transistoren

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 14W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD679A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Collectorstroom: 4A. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 40W. Behuizing: TO-126. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD682. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD681G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: NF-L. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -4A. Vermogen: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) BD681

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD682G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Let op: >750. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD809G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD810G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 75 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Behuizing: TO-202. Behuizing (volgens datablad): TO-202; SOT128B. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD829. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD902

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Let op: >750. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD901

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Weerstand B: NPN-vermogenstransistor. BE-weerstand: 100V. C(inch): 15A. Kosten): 90W. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): +150°C. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD911. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD911. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDP949. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDP950. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: complementaire transistor (paar) BDT65C. BE-diode: ja. CE-diode: ja

Darlington-transistor?: 1. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Functie: hFE 1000. Spec info: complementaire transistor (paar) BDT64C. BE-diode: ja. CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Spec info: 130.42144

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDV64BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1000. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) BDV65B

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Functie: hFE 1000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDV65C