Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD239C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 3A. Vermogen: 40W. Maximale frequentie: 3MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD242C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD242C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD241C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD242CG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD243C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 6A. Vermogen: 65W. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD243C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD244C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 15. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD243C

Behuizing: TO-220. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -100V. C(inch): -6A. Kosten): 65W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD243C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD246C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD246C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD245C. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD245C. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 25A. Ic(puls): 40A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD250C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD250C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD250C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 6A. Let op: >750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Behuizing: SOT-82. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 22V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD438. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)