Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: schakelende voeding. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: NINCS. Td(uit): 3.5us. Td(aan): 0.5us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1

Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

Kosten): 3.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1100 MHz. Functie: TV-IF. Collectorstroom: 100mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Weerstand B: NPN-transistor. BE-weerstand: RF-POWER. C(inch): 25V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Functie: TV-IF-reVHF. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BF240. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Type transistor: FET-transistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 2mA. Maximale afvoerstroom: TO-92

C(inch): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. ID s (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Poort/bronspanning (uit) max.: 3.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. ID s (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Poort/bronspanning (uit) max.: 7.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): AM/FM/VHF. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BF246A. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 39V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 14.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.6V. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.22W

Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: voor VHF/UHF RF-versterkers. Idss (max): 13mA. ID s (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 0.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: voor VHF/UHF RF-versterkers. Idss (max): 18mA. ID s (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 0.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 450 MHz. Collectorstroom: 25mA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1

Kosten): 2pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 500mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF421. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 830mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF420. CE-diode: ja

Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: complementaire transistor (paar) BF423. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 0.05A. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF422

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BF450. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 350 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: HF- en IF-trappen in radio-ontvangers. Maximale hFE-versterking: 90. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 25mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS