Transistoren

Collectorstroom: 4A. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 45V. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-126. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD438. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 45V

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -4A. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-126. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD437. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -4A. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-126 FULLPACK

Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): SOT-32. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD440. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD440. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 4A. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-126

Markering van de fabrikant: BD441G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 4A. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: TO-126. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 80V

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD442. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD441. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: geïsoleerde behuizing. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 20. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 1.5V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD649. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD652. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 45V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 45V

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677AG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD678. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD677A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD679. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) BD680A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Weerstand B: ja. C(inch): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: hFE 750. Collectorstroom: 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) BD679. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)