BDT64C

BDT64C. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: complementaire transistor (paar) BDT65C. BE-diode: ja. CE-diode: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/01/2025, 15:25.