Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 9 | 0.54€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.63€ |
25 - 26 | 0.49€ | 0.59€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.54€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.63€ |
25 - 26 | 0.49€ | 0.59€ |
BD830. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 75 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Behuizing: TO-202. Behuizing (volgens datablad): TO-202; SOT128B. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD829. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/01/2025, 15:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.