Transistoren

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDV65C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDV65BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1000. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) BDV64B

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW42G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 85W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW47G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 85W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW83C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW84C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 750 (@3V, 6A). Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW84D

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: hFE 750 (@3V, 6A). Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW83C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW84D. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 750 (@3V, 6A). Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW83D

Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Markering van de fabrikant: BDW93C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 20 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 80W. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: complementaire transistor (paar) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 12A. Vermogen: 33W. Behuizing: TO-220FP

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW93C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW94C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: complementaire transistor (paar) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: complementaire transistor (paar) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Maximale hFE-versterking: 750. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 70W. Maximale frequentie: 20MHz. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: complementaire transistor (paar) BDX34C

Weerstand B: 10k Ohms. BE-weerstand: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 750. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. C(inch): ja. Kosten): -100V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: complementaire transistor (paar) BDX33C. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDX34CG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 20W. Maximale frequentie: 20MHz. Behuizing: TO-220-F

Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: +150°C. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Complementaire Power Darlington-transistoren. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Vermogen: 60W. Maximale frequentie: 20MHz. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) BDX54C. Functie: audio-versterker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Conditionering: plastic buis. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Productiedatum: 2014/32. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Complementaire Power Darlington-transistoren. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Weerstand B: Darlington-vermogenstransistor. BE-weerstand: Darlington-transistor. C(inch): -100V. Kosten): -8A. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) BDX53C. Conditioneringseenheid: 50. Functie: audio-versterker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-weerstand: R1 typ. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Complementaire Power Darlington-transistoren. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Behuizing: TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDX53F. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Collectorstroom: 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Functie: hFE 1000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDX67C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Collectorstroom: 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Functie: hFE 1000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDX67C