Transistoren

Kanaaltype: N-P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Let op: ID(AV)--N--9A P--8A. Let op: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Let op: Vdss 30V (N), -30V (P)

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: DIP-8. Behuizing: DIP. Aantal per doos: 2. Let op: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

C(inch): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Markering op de kast: 4800C G M. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Functie: snel schakelen, DC/DC-converter. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 8440pF. Kosten): 1775pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 88N30W. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 312W. Aan-weerstand Rds Aan: 48m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET . Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1440pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 43 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 45 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Functie: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

C(inch): 1170pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. Id(imp): 150A. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 9962GH. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 27.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 8 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Functie: MOS-N-FET. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. Id(imp): 90A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 9971GH. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NO. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220CFM. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Markering op de kast: 9971GM. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.050R (50m Ohms). RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Functie: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: td(on) 12ns. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Verbeteringsmodus MOSFET . Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Spanning Vds(max): 20V

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Enhancement Mode DUAL MOSFET (N- en P-kanaal) . Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Let op: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Let op: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Let op: Vds 30V & 30V

C(inch): 1685pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 55ms. Functie: Hoogfrequente schakelende voedingen. Collectorstroom: 56A. Ic(puls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 4360pF. Kosten): 895pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 280 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 164A. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 1000uA. ID s (min): 250uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 378W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: snel schakelen, lage lekkage. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7400pF. Kosten): 1000pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 450W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Functie: snel schakelen, lage lekkage. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Functie: snel schakelen, lage lekkage. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-323. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 5.5V. Collectorstroom Ic [A], max.: 40mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.4GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-343. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: 5Fx. Afvoerbronspanning Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 0.37V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.27W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal per doos: 1. Let op: TU

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: B891F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor