AP4800CGM

AP4800CGM. C(inch): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Markering op de kast: 4800C G M. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Functie: snel schakelen, DC/DC-converter. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.