Transistoren

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 260 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-40. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-40

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 250-600. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-40. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Behuizing: TO-92. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -30V. C(inch): -0.8A. Kosten): 0.63W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 210 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Vermogen: 0.63W. Behuizing: TO-92

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-40. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-40

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-40. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 210 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Vermogen: 0.63W. Behuizing: TO-92

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-40. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Vermogen: 0.63W. Maximale frequentie: 100MHz. Behuizing: TO-92

Kosten): 40pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 63. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 375. Minimale hFE-versterking: 85. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC369

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC369. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 45 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 20V

Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -20V. Collectorstroom: -1A. Vermogen: 0.625W. Behuizing: TO-92

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 160000. Minimale hFE-versterking: 8000. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: VEBO 12V