Transistoren

Kanaaltype: N-P. Functie: MOSFET-transistor, Rds (AAN) erg laag. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

C(inch): 1980pF. Kosten): 317pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 11.2 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (max): 20mA. ID s (min): 0.02mA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0098 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 27 ns. Td(aan): 5.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal per doos: 1. Functie: FET in SMPS, belastingschakeling. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3760pF. Kosten): 682pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 18 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 20mA. ID s (min): 0.1mA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0039 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 34 ns. Td(aan): 9.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2154pF. Kosten): 474pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. ID s (min): 0.1mA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25.2 ns. Td(aan): 6.8 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Aantal per doos: 1. Functie: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 27.5us. Functie: MOSFET-transistor, Rds (AAN) erg laag. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 46m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 2

C(inch): 4360pF. Kosten): 1050pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 39.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 0.01uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 920pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 21.4 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 0.003uA. Markering op de kast: D405. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 24.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: complementaire transistor (paar) AOD408. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1040pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D408. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 13.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17.4 ns. Td(aan): 4.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: complementaire transistor (paar) AOD405. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2977pF. Kosten): 241pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 0.003uA. Markering op de kast: D409. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 32m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 450pF. Kosten): 61pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 27.6 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 47m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 4.2 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power MOSFET-technologie . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 951pF. Kosten): 373pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Trr-diode (min.): 10.2 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 96A. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 18.5 ns. Td(aan): 6.25 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power MOSFET-technologie . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: Zeer lage RDS(aan) bij 10VGS. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 16pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 172ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 18 ns. Td(aan): 17 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(inch): 273pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 962pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 332ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.71 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 24 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2850pF. Kosten): 258pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. Binnendiameter (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal per doos: 1. Functie: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 22 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Binnendiameter (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 33.8 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power AlphaMOS-technologie . Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: DFN8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: 7401. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2060pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Markering op de kast: P605. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Kanaaltype: N-P. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

C(inch): 1100pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: AOY2610E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 22 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 95A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 40T03 GP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 95A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 40T03 GP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 mS. Td(aan): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 95A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 40T03GS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. Aan-weerstand Rds Aan: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 990pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 35V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: snel schakelen, DC/DC-converter. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Markering op de kast: 4501GM. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)