Transistoren

Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-18. Kosten): 4.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V

Kosten): 4.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 80pF. Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: voor middenvermogen en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO39. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC161-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 180pF. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: 1A. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): +175°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC141. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 460. Minimale hFE-versterking: 180. Collectorstroom: 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 240. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 240. Collectorstroom: 0.1A. Let op: ( E,C,B ). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 6V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 45V

Behuizing: TO-92. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC212BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 280 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC237BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 20V

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 120V. Collectorstroom: 0.5A. Vermogen: 0.85W. Maximale frequentie: 120MHz. Behuizing: TO-39

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 60V. Collectorstroom: 0.5A. Vermogen: 0.85W. Maximale frequentie: 120MHz. Behuizing: TO-39

Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -60V. C(inch): -0.5A. Kosten): 0.85W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.65 MHz. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Vcbo: 85V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.65 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 7V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.8A. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C32716. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 260 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor