AP9971GI

AP9971GI. C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NO. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220CFM. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/01/2025, 12:25.