Transistoren

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A743. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Aantal per doos: 1

Aantal per doos: 1. Spec info: vervanging

Aantal per doos: 1

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. FT: 1250 MHz. Collectorstroom: 20mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-39. Behuizing (volgens datablad): SOT-39. Type transistor: PNP. Vcbo: 20V. Collector-emitterspanning Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Kanaaltype: N-P. Markering op de kast: 4502C. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 52A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Vermogen: 228W. Behuizing: TO-247AC. Ingebouwde diode: ja. Afvoerbronspanning (Vds): 1200V

C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. ID s (min): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Spec info: complementaire transistor (paar) ALF08P20V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. ID s (min): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Spec info: complementaire transistor (paar) ALF08N20V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 16.8 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 25A. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 22m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21.5 ns. Td(aan): 3.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 933pF. Kosten): 108pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 21 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 5.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Spec info: Bedieningspoortspanning zo laag als 2,5 V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 621pF. Kosten): 118pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. Aan-weerstand Rds Aan: 23.4m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15.1 ns. Td(aan): 4.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 520pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 25A. Binnendiameter (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (max): 4.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1160pF. Kosten): 187pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 17.7 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. Aan-weerstand Rds Aan: 18M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51.7 ns. Td(aan): 6.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ESD-beveiligd. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2060pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.7W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4407A. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2330pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: FET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 49.5 ns. Td(aan): 12.8 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 6060pF. Kosten): 638pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 33.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0047 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51.5 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Functie: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Ultra-lage poortweerstand. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Functie: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal

Kanaaltype: N-P. Functie: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal

Kanaaltype: N-P. Functie: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 28/35m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SOP-8. Aantal per doos: 2. Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Spec info: vervanger voor MOSFET

Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Type transistor: MOSFET. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaaltype: N-P. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Idss: 1...5uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16.2/4.8 ns. Td(aan): 6.4 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Aantal per doos: 2. Let op: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Kanaaltype: N-P. Functie: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Technologie: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)