AON6512

AON6512. C(inch): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 22 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Binnendiameter (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 33.8 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power AlphaMOS-technologie . Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/01/2025, 14:25.