Transistoren

C(inch): 430pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: K3699. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.31 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2200pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3799. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F ( SC-67 ). Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 96pF. Kosten): 29pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K3850. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Aan-weerstand Rds Aan: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 9 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2200pF. Kosten): 45pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1.4us. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K3878. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 65 ns. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). G-S-bescherming: ja

C(inch): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. Markering op de kast: K3911. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Veldeffect MOS-type (MACH-II-MOS VI). Behuizing: TO-3PN. Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 380 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 92A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 500uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Veldeffect MOS-type (MACH-II-MOS VI). Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 4 v. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2400pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 52A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K4012. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 70 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOS VI). G-S-bescherming: ja

C(inch): 1400pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K4013 Q. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 80 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F ( 2-10U1B ). Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOS IV). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (U-MOS III)

C(inch): 2900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakeltoepassingen met hoge stroomsterkte. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K4075. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 54 ns. Td(aan): 18 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: POWER MOSFET, veldeffecttransistor. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3400pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. ID s (min): n/a. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 280 ns. Td(aan): 130 ns. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (MOS VI). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: V-MOS. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spanning Vds(max): 800V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5 Ohms. Spanning Vds(max): 850V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 800V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 800V. Let op: (F)

C(inch): 900pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid schakelen. Id(imp): 12A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 0.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD. Spanning Vds(max): 100V. Functie: Relaisaandrijving, motoraandrijving

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.046 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 60V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 800V

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Fast-switching. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: D13009K. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220C. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: D209L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(min): 0.7us. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 20. Minimale hFE-versterking: 16. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: 4202BD. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.18V. Collector-emitterspanning Vceo: 490V. Vebo: 13V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

C(inch): 7pF. Kosten): 5.9pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (max): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 150 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): SSFP. Spanning Vds(max): 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.3V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.4V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-343. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 4. Afvoerbronspanning Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1V. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V/40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W