AOD9N50

AOD9N50. C(inch): 962pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 332ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.71 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 24 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/01/2025, 14:25.