Transistoren

Functie: 27.5 & 34m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SOP-8. Aantal per doos: 2

C(inch): 790pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbetering van logisch niveau. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11.8 ns. Td(aan): 2.2 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 40V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N-P. Functie: 28 & 65m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SOP-8. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

C(inch): 860pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (max): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2780pF. Kosten): 641pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 34 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (max): 50A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing (volgens datablad): TO-263 (D2PAK). Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 150A. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (max): 50A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 15m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 690pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbetering van logisch niveau. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19.8 ns. Td(aan): 6.7 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 170A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (max): 75A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 5M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 6.2A. Ic(puls): 15A. Let op: complementaire transistor (paar) PBSS4041PX. Markering op de kast: 6F. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 220 ns. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 35mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 320mV. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6F. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 85pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 15A. Let op: PBSS4041NX. Markering op de kast: 6g. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 75 ns. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89 (SC-62). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 60mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: *08. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P08/T08

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NPN-schakeltransistor. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 15V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Spec info: 130.41594. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 920pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Veldeffect-vermogenstransistor, Logische niveauregeling. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 86W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 78 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Veldeffect-vermogenstransistor, Logische niveauregeling. Id(imp): 180A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 45A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 86W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: TrenchMOS transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 25V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 8.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS SOT78. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 500 MHz. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Vcbo: 15V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P1J, T1J. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.6A. Ic(puls): 0.8A. Markering op de kast: p2X, t2X, W2X. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.75V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P2X, T2X, W2X, complementaire transistor (paar) PMBT4401. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 29pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 600mA. Ic(puls): 800mA. Markering op de kast: *T2, P2T, T2T, W2T. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P2T, T2T, W2T, complementaire transistor (paar) PMBT4401. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: PMV213SN. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kosten): 19pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Spec info: hFE 80...450. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Spec info: hFE 240...600. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 75pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: hFE 80...450. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: hFE 240...600. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 75pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 0.6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS