Elektronische componenten en apparatuur, voor bedrijven en particulieren

P-kanaaltransistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM

P-kanaaltransistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Hoeveelheid excl. BTW incl. BTW
1 - 4 2.04€ 2.47€
5 - 9 1.94€ 2.35€
10 - 24 1.83€ 2.21€
25 - 49 1.73€ 2.09€
50 - 99 1.69€ 2.04€
100 - 146 1.59€ 1.92€
Hoeveelheid U.P
1 - 4 2.04€ 2.47€
5 - 9 1.94€ 2.35€
10 - 24 1.83€ 2.21€
25 - 49 1.73€ 2.09€
50 - 99 1.69€ 2.04€
100 - 146 1.59€ 1.92€
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Hoeveelheid in voorraad : 146
Set van 1

P-kanaaltransistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM. P-kanaaltransistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 125us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D8P05. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 10:25.

Gelijkwaardige producten :

Hoeveelheid in voorraad : 92
SPD08P06P

SPD08P06P

P-kanaaltransistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=...
SPD08P06P
P-kanaaltransistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-bescherming: NINCS
SPD08P06P
P-kanaaltransistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-bescherming: NINCS
Set van 1
1.57€ incl. BTW
(1.30€ excl. BTW)
1.57€

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Abonneer u op de nieuwsbrief

Ik ga akkoord met het ontvangen van e-mails en ik begrijp dat ik me na registratie op elk moment kan uitschrijven.

Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.