RFP12N10L

RFP12N10L. C(inch): 900pF. Kosten): 325pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F12N10L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 15 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 18:25.