Transistoren

C(inch): 9pF. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30MHz. Functie: audio-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW3281. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NJW21193G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

C(inch): 9pF. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: audio-eindversterker. Productiedatum: 201452 201512. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW1302. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 6400pF. Kosten): 465pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 82N055. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 142W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.1m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 72 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): MP-25ZP. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 900. Spec info: MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 707pF. Kosten): 224pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 20N6LG. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.039 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 9.6 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N06LG. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 990pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20P06LG. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: NT2955. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NT2955G. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 750pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 55W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 50us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: NT2955. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Functie: ID pulse 36A/10ms. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.084 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Functie: ID pulse 45A/10us. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 55094G

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.122 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Functie: ID pulse 27A/10us. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 3150G

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.089 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 60V. Let op: 55L104G. Functie: logisch niveau, ID-puls 45A/10us. Aantal per doos: 1

C(inch): 316pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.089 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: logisch niveau, ID-puls 45A/10us. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 55L104G. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 55L104G. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 4490pF. Kosten): 952pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 34 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. Binnendiameter (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4804NG. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. G-S-bescherming: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Let op: hFE 20...70. Let op: complementaire transistor (paar) NTE219. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Let op: hFE 20...70. Let op: complementaire transistor (paar) NTE219. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 510pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 446. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): TSOP-6. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Aantal aansluitingen: 6. Functie: toepassingen voor lithium-ionbatterijen, notebook-pc. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 3000. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4416pF. Kosten): 296pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. Binnendiameter (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 503W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 40 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Functie: UPS, DC/DC-converter, boost-omvormer. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. Binnendiameter (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Markering op de kast: 4744N. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 47W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Functie: ID pulse 108A/10ms. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4744N

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. Binnendiameter (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (max): 191A. Markering op de kast: 4833N. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 114W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3M Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Functie: ID pulse 288A/10ms. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4833N

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Markering op de kast: 4835N. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 63W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.9m Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Functie: ID pulse 208A/10ms. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4835N

Kosten): 135pF. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Gemaakt voor Grundig. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS