MJ11016G

Hoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW
1 - 1	13.09€	15.84€
2 - 2	12.43€	15.04€
3 - 4	11.78€	14.25€
5 - 9	11.12€	13.46€
10 - 14	9.46€	11.45€
15 - 19	9.24€	11.18€
20 - 39	8.89€	10.76€

Hoeveelheid	U.P
1 - 1	13.09€	15.84€
2 - 2	12.43€	15.04€
3 - 4	11.78€	14.25€
5 - 9	11.12€	13.46€
10 - 14	9.46€	11.45€
15 - 19	9.24€	11.18€
20 - 39	8.89€	10.76€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Hoeveelheid in voorraad : 39

Set van 1

MJ11016G. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 4pF. Kosten): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): +200°C. Let op: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 14:25.

Technische documentatie

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Per email

Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!