MDF11N65B

MDF11N65B. C(inch): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49.6W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 13:25.