Transistoren

Markering van de fabrikant: MJE13007G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 80W. Maximale frequentie: 14 MHz. Behuizing: TO-220AB. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE13009G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 150V. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031G

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Behuizing: TO-220. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -150V. C(inch): -8A. Kosten): 50W. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15030G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz. Behuizing: TO-220

Behuizing: TO-220. Markering van de fabrikant: MJE15032G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 30 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15033

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -250V. Collectorstroom: -8A. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz. Behuizing: TO-220

RoHS: ja. Behuizing: TO-220. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-220. Kosten): 2pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15032. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15035G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 8A. Let op: complementaire transistor (paar) MJE15034G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: Schakelmodus Voedingstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 34. Minimale hFE-versterking: 12:1. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE18004G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 13 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: SMPS. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Spec info: SWITCHMODE. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 1750pF. Kosten): 100pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13MHz. Functie: Schakelmodus Voedingstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 34. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 1000V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 120W. Behuizing: TO-220

Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 45. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE210. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 120pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE200. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Collectorstroom: 4A. Weerstand B: NPN-vermogenstransistor. BE-weerstand: 100V. C(inch): 4A. Kosten): 15W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Functie: Schakelen op hoge snelheid, Audio. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE253. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -4A. Vermogen: 15W. Maximale frequentie: 40 MHz. Behuizing: TO-126. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Functie: Schakelen op hoge snelheid, Audio. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE243. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Behuizing: TO-220. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -70V. C(inch): -10A. Kosten): 90W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: voor hifi-audioversterkers en schakelregelaars. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE2955TG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE3055T. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T