Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Collectorstroom: 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15023. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 350V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15023. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Collectorstroom: 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15022. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V

Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15022. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15025. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15024G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Kosten): 280pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15024. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15025G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -250V. Collectorstroom: -16A. Vermogen: 250W. Maximale frequentie: 4 MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ21193G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ21194G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Kosten): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Type transistor: PNP. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ21196. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Type transistor: NPN. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ21195. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Functie: Schakel- en versterkertoepassingen. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N3055. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ2955G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 115W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

C(inch): 30pF. Kosten): 8.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Collectorstroom: 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ802G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -6A. Vermogen: 20W. Maximale frequentie: 3MHz. Behuizing: I-PAK

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J44H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 85 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J44H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 85 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 85 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 44H11G. Equivalenten: MJD44H11G, MJD44H11J. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): DPAK CASE 369C. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJD45H11T4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J45H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 90 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 85 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 45H11G. Equivalenten: MJD45H11G, MJD45H11J. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): DPAK CASE 369C. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJD45H11T4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS