PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Markering op de kast: 5B. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 5C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Collectorstroom: 100mA. Equivalenten: ON Semiconductor BC856BLT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3B

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-70. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-323. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: °C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Collectorstroom: 100mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3F. Aantal aansluitingen: 3

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3F. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TSSOP6. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: dubbele PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: 3Ft. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/CMS-code 3G. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT23, 30V. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: 30V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.25W. Collector-base spanning VCBO: 30V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 220. Stroom Max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3L. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3F. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3G/4C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 4C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. C(inch): 10pF. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Let op: complementaire transistor (paar) BC850C. Markering op de kast: 4g. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 4G. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 0.25W. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V