PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC640-16. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Spec info: complementaire transistor (paar) BC639-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC640. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Markering op de kast: 5B. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT23, -45V. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.31W. Collector-base spanning VCBO: -50V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 250. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Collectorstroom: 100mA. Equivalenten: ON Semiconductor BC856BLT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3B

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-70. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-323. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: °C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT23, -45V. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.25W. Collector-base spanning VCBO: -50V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 220. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3F. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TSSOP6. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: dubbele PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: 3Ft. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-323. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/CMS-code 3G. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT23, 30V. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: 30V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.25W. Collector-base spanning VCBO: 30V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 220. Stroom Max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3L. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C