PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC546C

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo-Pak ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 110. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 100mA, TO-92, 50V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547B

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 320 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, -50V, -0.2A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -50V. Collectorstroom: -0.2A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.5W

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): 10pF. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 320 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Functie: Schakelen en AF-versterker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C559A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hFE 200...450. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550B

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 380. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-diode: PNP-transistor. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): TO-226AA. CE-diode: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550C

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Productiedatum: 1997.04. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC639. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC640-16. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC639-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC640. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Markering op de kast: 5B. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5B

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 5C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor