PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, TO-92, 20V, 1A, TO-92. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Collectorstroom: 1A. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

NPN-transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -20V. Collectorstroom: -1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.625W

NPN-transistor, 0.1A, 180V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Spec info: TO18. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.4A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 3000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Spec info: complementaire transistor (paar) BC517. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC556B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC556B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 280 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, -65V, -0.1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -65V. Collectorstroom: -0.1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.5W

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC546C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo-Pak ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 110. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 320 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, -50V, -0.2A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -50V. Collectorstroom: -0.2A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.5W

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. C(inch): 10pF. Kosten): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 320 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Schakelen en AF-versterker. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C559A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hFE 200...450. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550B. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 380. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. RoHS: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Productiedatum: 1997.04. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (Ammo). Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collectorstroom: 1A. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC639. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W