PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. CE-diode: ja

NPN-transistor, 0.1A, 20V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, 25V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -60V. C(inch): -0.5A. Kosten): 0.85W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.65 MHz. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. Vcbo: 85V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.65 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C32716. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 260 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 260 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-40. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-40

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 250-600. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-40. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -30V. C(inch): -0.8A. Kosten): 0.63W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC369. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 45 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Type transistor: PNP

NPN-transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -20V. Collectorstroom: -1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.625W

NPN-transistor, 0.1A, 180V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Spec info: TO18

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.4A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 3000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC517

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC556B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC546B

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC556B. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 280 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, -65V, -0.1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -65V. Collectorstroom: -0.1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.5W