PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3F. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3G/4C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 4C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. C(inch): 10pF. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Let op: complementaire transistor (paar) BC850C. Markering op de kast: 4g. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 4G. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 0.25W. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, 20V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: CEC. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF/S. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 145 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP51/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP54-16. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 145 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP52/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP55-16. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP53-10. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AH-10. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Kosten): 25pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP 5316. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP56-16. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Weerstand B: transistor voor toepassingen met laag vermogen. BE-weerstand: SOT223. C(inch): 1.5W

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AH. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP56-10. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP69/25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP69. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 4.7k Ohms. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: PNP silicium digitale transistor. Minimale hFE-versterking: 50. Markering op de kast: XUs. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: XHs. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. FT: 250 MHz. Functie: PNP silicium dubbele transistor. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Markering op de kast: 3Ls. Aantal aansluitingen: 4. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3Ls. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 250. Let op: zeefdruk/SMD-code C2. Markering op de kast: C2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Type transistor: PNP. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Let op: >120. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCW69R. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: T1. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 125V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: PNP-transistor, voor AF en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 63. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: DKs. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. Spec info: complementaire transistor (paar) BCX41. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 125V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: DKs. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-TR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Spec info: zeefdruk/SMD-code AA. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP