PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Markering op de kast: B668. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD718

NPN-transistor, 7A, 170V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 170V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V/60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): MINI MOLD. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Kosten): 2.7pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Maximale hFE-versterking: 460. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 0.2A. Markering op de kast: AQ. RoHS: NINCS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD601. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 35V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-solderen, D17/C, 60V/50V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 3A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 3A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD882

NPN-transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1047. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 10. BE-weerstand: 47. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1133

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Weerstand B: 10. BE-weerstand: 47. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: PNP-transistor. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1138. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1207

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 45V/40V, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V/40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A743. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor. Aantal per doos: 1. Spec info: vervanging

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Collectorstroom: 20mA. Behuizing: SOT-39. Behuizing (volgens datablad): SOT-39. Collector-emitterspanning Vceo: 13V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. FT: 1250 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 32V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: B891F. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 180pF. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: 1A. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): +175°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC141. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 45V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 120. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 460. Minimale hFE-versterking: 180. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC212BG. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 280 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. CE-diode: ja