PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor. Aantal per doos: 1. Spec info: vervanging

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Collectorstroom: 20mA. Behuizing: SOT-39. Behuizing (volgens datablad): SOT-39. Collector-emitterspanning Vceo: 13V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. FT: 1250 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

NPN-transistor, TO39, -60V. Behuizing: TO39. Collector-emitterspanning VCEO: -60V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.65W. Collector-base spanning VCBO: -60V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. Bandbreedte MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 30. Stroom Max 1: -1A. Serie: BC

NPN-transistor, 0.1A, 45V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 120. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 460. Minimale hFE-versterking: 180. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC212BG. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 280 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 20V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, 25V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.65 MHz. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. Vcbo: 85V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.65 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C32716. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 260 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 260 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC327-40. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: hFE 250-600. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V