PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP 5316. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP56-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AH. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP56-10. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP69/25. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP69. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-weerstand: 4.7k Ohms. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: PNP silicium digitale transistor. Minimale hFE-versterking: 50. Markering op de kast: XUs. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: XHs. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. FT: 250 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Markering op de kast: 3Ls. Aantal aansluitingen: 4. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Functie: PNP silicium dubbele transistor. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3Ls. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 250. Let op: zeefdruk/SMD-code C2. Markering op de kast: C2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Type transistor: PNP. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Let op: >120. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCW69R. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: T1. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 125V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: PNP-transistor, voor AF en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 63. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: DKs. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCX41. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 125V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: DKs. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-TR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Spec info: zeefdruk/SMD-code AA

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AD. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AM. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 125 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: audioversterkers. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 1.5A. Markering op de kast: AH. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code AH

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: audioversterkers. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 63. Ic(puls): 1.5A. Let op: zeefdruk/SMD-code AK. Markering op de kast: AK. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCX56-16

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-diode: PNP-transistor. BE-weerstand: PCB-solderen (SMD). C(inch): SOT-89. Kosten): TO-243. CE-diode: opbouwcomponent (SMD). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: audioversterkers. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1.5A. Let op: zeefdruk/SMD-code AL. Markering op de kast: AL. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCX56-16

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AL. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 125 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: NF/S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD140. Maximale dissipatie Ptot [W]: 12.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD139

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD140-10. Maximale dissipatie Ptot [W]: 12.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor