PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AD. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AM. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 125 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: audioversterkers. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 1.5A. Markering op de kast: AH. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code AH. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: audioversterkers. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 63. Ic(puls): 1.5A. Let op: zeefdruk/SMD-code AK. Markering op de kast: AK. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BCX56-16. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, SOT89, -80V. Behuizing: SOT89. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: PNP. Vermogen: 1W. Collector-base spanning VCBO: -100V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 125MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 25. Stroom Max 1: -1A. Serie: BCX

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AL. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 125 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, 32V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: NF/S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD140. Maximale dissipatie Ptot [W]: 12.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V, 1.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Collectorstroom: 1.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD139-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 3A

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD139. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, 45V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Audio-, vermogenslineaire en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD237. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD238G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -2A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -2A. Behuizing: TO-126. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 25W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 4A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD239C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD241C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD242CG. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD244C. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C

NPN-transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom: 6A. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD243C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD245C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD245C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP