PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX653. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZTX758. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 150. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX690. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,95V. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 300. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V