Hoeveelheid (Set van 10) | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 0.62€ | 0.75€ |
5 - 9 | 0.59€ | 0.71€ |
10 - 12 | 0.56€ | 0.68€ |
Hoeveelheid (Set van 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.62€ | 0.75€ |
5 - 9 | 0.59€ | 0.71€ |
10 - 12 | 0.56€ | 0.68€ |
NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C. NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3G/4C. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 14:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.