NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 900mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA966. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA968

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Kosten): 3pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 350. Markering op de kast: C2240BL. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970BL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Kosten): 3pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Markering op de kast: C224GR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970GR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: VID-L. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-236, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Kosten): 30pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 3A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Hoogspanningsschakeling, AF-eindversterker. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1011. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V/100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Kosten): 20pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Markering op de kast: C2383 Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1013. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 180. Markering op de kast: BQ. Temperatuur: +155°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 400mV. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code BQ. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1037. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, P22/U, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: P22/U. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: CSC2342. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: hoogte 5 mm

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 5A. Markering op de kast: C2500. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: NPN epitaxiale siliciumtransistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 17A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 200V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 450V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, D17/C, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, D6/C, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 1A, 40V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Functie: hFE 100...200. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.2A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1.2A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 19pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 155 MHz. Functie: HF. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 2.5A. Markering op de kast: C2690A Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1220A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS