NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Markering op de kast: C2383 Y. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1013. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 180. Let op: zeefdruk/SMD-code BQ. Markering op de kast: BQ. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +155°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1037. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 400mV

NPN-transistor, PCB-solderen, P22/U, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: P22/U. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: CSC2342. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: hoogte 5 mm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 5A. Markering op de kast: C2500. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: NPN epitaxiale siliciumtransistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 450V

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, D6/C, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 1A, 40V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hFE 100...200. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Collectorstroom: 1.2A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Kosten): 19pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 155 MHz. Functie: HF. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 2.5A. Markering op de kast: C2690A Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1220A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.8pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Ic(puls): 800mA. Let op: 9mm. Markering op de kast: C2705. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1145. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Let op: zeefdruk/SMD-code DG. Markering op de kast: DG. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1163. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-103, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-103. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-236, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 300mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Voor dempen en schakelen. Maximale hFE-versterking: 1200. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. RoHS: ja. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 130 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 70mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V/160V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Collectorstroom: 70mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1208. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Hoogspanningsschakeling. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 140mA

NPN-transistor, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Collectorstroom: 0.14A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1209. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoge stroom schakelen. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Let op: voor schakeltoepassingen. Let op: complementaire transistor (paar) 2SA1244. Markering op de kast: C3074. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, D8A/C, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8A/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/19V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-solderen, D6/C, 150mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V