NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Let op: zeefdruk/SMD-code DG. Markering op de kast: DG. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1163. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Origineel product van fabrikant Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 30/07/2025, 08:25.