NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Kosten): 1.8pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Ic(puls): 800mA. Markering op de kast: C2705. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: 9mm. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1145. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Markering op de kast: DG. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code DG. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1163. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-103, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-103. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-236, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 300mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Voor dempen en schakelen. Maximale hFE-versterking: 1200. Minimale hFE-versterking: 200. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 130 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 70mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V/160V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 70mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SC2910. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V/160V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 400. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 70mA. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 140mA. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1208

NPN-transistor, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 0.14A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 0.2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1209. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 150mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V/100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoge stroom schakelen. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Markering op de kast: C3074. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: voor schakeltoepassingen. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V

NPN-transistor, PCB-solderen, D8A/C, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8A/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/19V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-solderen, D6/C, 150mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 150mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: TV-NF/E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1249

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SC3157. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1265

NPN-transistor, 0.02A, 40V. Collectorstroom: 0.02A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 660 MHz. Functie: TV-ZF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1