NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SC3157. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1265. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.02A, 40V. Collectorstroom: 0.02A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 660 MHz. Functie: TV-ZF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: algemeen gebruik. Markering op de kast: C3198. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 150mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 70. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Spec info: vervanging KTA1267. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Hi-Beta, lo-sat.. Minimale hFE-versterking: 500. Let op: 9mm. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1294. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. Kosten): 250pF. CE-diode: NINCS. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 40. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 17A, 230V. Collectorstroom: 17A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1295. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: NF-E HI-FI. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1302. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 14A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1303. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220FP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1306. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: C3303. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: NF/SL. Ic(puls): 8A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 0.7A, 180V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Let op: hFE 140...280. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.7W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1319. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, 500V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 250 MHz. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1360. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: hFE 15...30. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: hFE 20...40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V