NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-202, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-202. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.05A, 50V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: TV-IF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: 9 mm hoogte. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, 5A, 500V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, 400V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/40V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, TO-92, PCB-solderen, 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing: PCB-solderen. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/40V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92S ( SPT SC-72 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: C1710. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220C, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220C. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 15mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 15mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: C1815Y. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +120°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1015Y. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 1200. Minimale hFE-versterking: 200. Markering op de kast: C1841. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.07V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Functie: HIFI-audioversterker. Maximale hFE-versterking: 580. Minimale hFE-versterking: 150. Markering op de kast: C1845. Equivalenten: KSC1845. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Samsung--0501-000354. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126B-A1, 35V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126B-A1. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. BE-diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 340. Minimale hFE-versterking: 85. Ic(puls): 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 3.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 3.5A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SC1875. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 500V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C